RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB vs A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB

Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB

総合得点
star star star star star
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    36 left arrow 106
    周辺 66% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.0 left arrow 5.6
    テスト平均値
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB 考慮すべき理由
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.1 left arrow 11.5
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 12800
    周辺 1.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    36 left arrow 106
  • 読み出し速度、GB/s
    11.5 left arrow 13.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 5.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1688 left arrow 1252

Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB RAMの比較

Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB

A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
メモリRAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
メモリRAM
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
メモリRAM
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
Corsair CM4X16GE2400C16S4 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
メモリRAM
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
メモリRAM
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
メモリRAM
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
メモリRAM
AMD R5S38G1601U2S 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
メモリRAM