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Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
比較する
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
総合得点
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
総合得点
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
19.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,077.3
15.0
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
61
周辺 -205% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
61
20
読み出し速度、GB/s
3,835.2
19.4
書き込み速度、GB/秒
2,077.3
15.0
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
606
3217
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB RAMの比較
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2400 8GB
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SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2L3000C15 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston HP32D4U2S8ME-16 16GB
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