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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
54
周辺 -93% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.8
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
28
読み出し速度、GB/s
3,573.5
18.3
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
15.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
3535
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
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