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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
比較する
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
3
20
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
54
周辺 -69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.4
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
32
読み出し速度、GB/s
3,573.5
20.0
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
15.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
3592
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
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