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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
54
周辺 -86% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
16.0
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
29
読み出し速度、GB/s
3,573.5
17.9
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
16.0
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
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Frequency (Mhz) *
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Avant Technology H641GU67G1600G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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