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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
17.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
32
54
周辺 -69% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
5300
周辺 4.83 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
32
読み出し速度、GB/s
3,573.5
17.6
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
15.3
メモリ帯域幅、mbps
5300
25600
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
3516
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
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