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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
16.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
23
54
周辺 -135% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
10.4
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
5300
周辺 3.62 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
23
読み出し速度、GB/s
3,573.5
16.5
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
10.4
メモリ帯域幅、mbps
5300
19200
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
2537
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
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SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
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Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2400.C16J 16GB
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Kingston 9965662-008.A01G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
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