RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.2
    テスト平均値
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB 考慮すべき理由
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 54
    周辺 -116% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.4 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 15.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 11.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 2346

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
メモリRAM
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
メモリRAM
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
メモリRAM