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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
18.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
54
周辺 -54% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
14.2
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
35
読み出し速度、GB/s
3,573.5
18.4
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
14.2
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
3278
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
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