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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
34
54
周辺 -59% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.7
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
5300
周辺 3.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
34
読み出し速度、GB/s
3,573.5
15.5
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
11.7
メモリ帯域幅、mbps
5300
17000
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
2881
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston KF3000C16D4/32GX 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
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