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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB
総合得点
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
総合得点
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
15
テスト平均値
考慮すべき理由
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
54
周辺 -46% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.9
1,308.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
5300
周辺 4.02 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
54
37
読み出し速度、GB/s
3,573.5
15.0
書き込み速度、GB/秒
1,308.1
11.9
メモリ帯域幅、mbps
5300
21300
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
371
2658
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
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Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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