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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs Kingston KTD3KX-HYA 8GB

総合得点
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Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB

Kingston KTD3KX-HYA 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Kingston KTD3KX-HYA 8GB 考慮すべき理由
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 54
    周辺 -29% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    7.4 left arrow 3
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.3 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 42
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 7.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 6.3
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 1331

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SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
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メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
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メモリRAM
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
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Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
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メモリRAM
AMD R538G1601U2S 8GB
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Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
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メモリRAM
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
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Kingston 9905630-030.A00G 16GB
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G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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