RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 90
    周辺 40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.6
    テスト平均値
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 90
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 1743

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB RAMの比較

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
メモリRAM
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
メモリRAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
メモリRAM
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
メモリRAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
メモリRAM