RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB vs V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB

総合得点
star star star star star
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    54 left arrow 56
    周辺 4% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 18.7
    テスト平均値
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.9 left arrow 1,308.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    54 left arrow 56
  • 読み出し速度、GB/s
    3,573.5 left arrow 18.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,308.1 left arrow 8.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    371 left arrow 2235

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB RAMの比較

Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB

V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
メモリRAM
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
メモリRAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
メモリRAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
メモリRAM