RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB vs Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB

総合得点
star star star star star
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
バグを報告する
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB 考慮すべき理由
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 28
    周辺 -8% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.9 left arrow 11.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.5 left arrow 8.4
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    11.7 left arrow 13.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 9.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1578 left arrow 2432

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB RAMの比較

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB RAMの比較

Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
メモリRAM
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
メモリRAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
メモリRAM