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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

総合得点
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Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.7
    テスト平均値
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB 考慮すべき理由
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    29 left arrow 72
    周辺 -148% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    13.2 left arrow 1,938.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    72 left arrow 29
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 17.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,938.7 left arrow 13.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    677 left arrow 3304

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DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
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メモリRAM
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
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Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
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Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
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Kingston 9905678-028.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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