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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
総合得点
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
17.3
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
72
周辺 -157% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
1,938.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
72
28
読み出し速度、GB/s
4,241.0
17.3
書き込み速度、GB/秒
1,938.7
13.7
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
677
3359
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
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Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
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