RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
総合得点
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.9
テスト平均値
考慮すべき理由
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
72
周辺 -157% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
8.1
1,938.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
72
28
読み出し速度、GB/s
4,241.0
14.9
書き込み速度、GB/秒
1,938.7
8.1
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
677
2263
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB RAMの比較
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002S 2GB
Essencore Limited IM4AGS88N26-GIIHA0 16GB RAMの比較
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
バグを報告する
×
Bug description
Source link