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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
総合得点
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.5
テスト平均値
考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
72
周辺 -177% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
15.3
1,938.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
72
26
読み出し速度、GB/s
4,241.0
19.5
書き込み速度、GB/秒
1,938.7
15.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
677
3635
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
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Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C16 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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