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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
総合得点
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
15.7
テスト平均値
考慮すべき理由
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
72
周辺 -106% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
11.4
1,938.7
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
72
35
読み出し速度、GB/s
4,241.0
15.7
書き込み速度、GB/秒
1,938.7
11.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
677
2768
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Maxsun MSD48G26Q3 8GB
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
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