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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB

総合得点
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Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 15.9
    テスト平均値
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB 考慮すべき理由
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 72
    周辺 -200% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.4 left arrow 1,938.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    72 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    4,241.0 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,938.7 left arrow 12.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    677 left arrow 2854

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SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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Essencore Limited IM48GU48N24-FFFHM 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
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メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
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Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
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メモリRAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
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V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
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Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
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