RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

総合得点
star star star star star
AMD R744G2400U1S-UO 4GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    64 left arrow 66
    周辺 3% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 16.7
    テスト平均値
AMD R744G2400U1S-UO 4GB 考慮すべき理由
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.5 left arrow 2,256.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 6400
    周辺 2.66 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    64 left arrow 66
  • 読み出し速度、GB/s
    4,651.3 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,256.8 left arrow 8.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    837 left arrow 1912

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較

G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB

AMD R744G2400U1S-UO 4GB RAMの比較

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
メモリRAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
メモリRAM
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
メモリRAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
メモリRAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
メモリRAM