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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
19.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,256.8
15.5
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
30
64
周辺 -113% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
6400
周辺 3.33 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
30
読み出し速度、GB/s
4,651.3
19.6
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
15.5
メモリ帯域幅、mbps
6400
21300
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston XF875V-MIH 8GB
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRS 16GB
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