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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,256.8
15.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
64
周辺 -121% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESB.M16FE 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
29
読み出し速度、GB/s
4,651.3
18.5
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
15.2
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
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Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
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