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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
比較する
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
18.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,256.8
14.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
64
周辺 -129% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
28
読み出し速度、GB/s
4,651.3
18.5
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
14.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905701-021.A00G 16GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
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