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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
読み出し速度の高速化、GB/s
4
16.2
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,256.8
12.4
テスト平均値
考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
64
周辺 -129% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
28
読み出し速度、GB/s
4,651.3
16.2
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
12.4
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
837
3305
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RAM Latency Calculator
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
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SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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