RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

総合得点
star star star star star
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 13
    テスト平均値
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB 考慮すべき理由
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 64
    周辺 -73% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    7.9 left arrow 2,256.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    64 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    4,651.3 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,256.8 left arrow 7.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    837 left arrow 2512

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較

G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB RAMの比較

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
Smart Modular SMS4TDC8C1K0446FCG 8GB
メモリRAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
メモリRAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
メモリRAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
メモリRAM
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FB 4GB
メモリRAM
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
メモリRAM
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
メモリRAM