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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
総合得点
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
総合得点
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
64
周辺 -83% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
9.1
4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
8.3
2,256.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
6400
周辺 2.66 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
64
35
読み出し速度、GB/s
4,651.3
9.1
書き込み速度、GB/秒
2,256.8
8.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
17000
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
837
2229
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新の比較
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G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4800C20-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
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