RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB

総合得点
star star star star star
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    4 left arrow 17.5
    テスト平均値
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB 考慮すべき理由
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    53 left arrow 64
    周辺 -21% 低遅延
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.6 left arrow 2,256.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 6400
    周辺 3.33 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    64 left arrow 53
  • 読み出し速度、GB/s
    4,651.3 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    2,256.8 left arrow 9.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    837 left arrow 2310

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB RAMの比較

G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB RAMの比較

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
メモリRAM
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
メモリRAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
メモリRAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
メモリRAM
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
メモリRAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
Corsair CMK32GX4M2K4133C19 16GB
メモリRAM