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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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考慮すべき理由
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
20
42
周辺 -110% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
17.1
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.3
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
20
読み出し速度、GB/s
9.7
17.1
書き込み速度、GB/秒
6.0
14.3
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3088
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
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Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
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A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
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Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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