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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
相違点
仕様
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
27
42
周辺 -56% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
14.6
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
27
読み出し速度、GB/s
9.7
18.1
書き込み速度、GB/秒
6.0
14.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1396
3446
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RAM Latency Calculator
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
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