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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
17
42
周辺 -147% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
21.1
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
19.6
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
17000
10600
周辺 1.6 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
17
読み出し速度、GB/s
9.7
21.1
書き込み速度、GB/秒
6.0
19.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
17000
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1396
3829
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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