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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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考慮すべき理由
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
33
42
周辺 -27% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
20.1
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
10600
周辺 1.81 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
33
読み出し速度、GB/s
9.7
20.1
書き込み速度、GB/秒
6.0
13.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
19200
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1396
3260
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
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Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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