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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB 考慮すべき理由
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    35 left arrow 42
    周辺 -20% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    18.6 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.0 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 10600
    周辺 2.42 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8X 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 35
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 18.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 15.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 3292

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Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905622-025.A01G 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
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メモリRAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
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メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
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メモリRAM
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
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Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
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