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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kingston KHYXPX-MIE 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Kingston KHYXPX-MIE 8GB

Kingston KHYXPX-MIE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Kingston KHYXPX-MIE 8GB 考慮すべき理由
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    37 left arrow 42
    周辺 -14% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.9 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 37
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 11.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 2658

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB RAMの比較

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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G Skill Intl F4-3600C17-16GTZ 16GB
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メモリRAM
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
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Inmos + 256MB
Inmos + 256MB
メモリRAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
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Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
メモリRAM
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
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メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB5285282666 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
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Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
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