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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 54
    周辺 22% 低遅延
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB 考慮すべき理由
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.8 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.7 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 54
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 10.8
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 8.7
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 2277

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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
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Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
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メモリRAM
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
メモリRAM
AMD AE34G2139U2 4GB
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Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
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メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2133C8 4GB
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Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
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メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
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G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
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