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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
42
周辺 -20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.8
9.7
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.6
6.0
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
25600
10600
周辺 2.42 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
35
読み出し速度、GB/s
9.7
16.8
書き込み速度、GB/秒
6.0
13.6
メモリ帯域幅、mbps
10600
25600
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
1396
3049
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R538G1601S2LS 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
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