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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
バグを報告する
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    6.0 left arrow 5.5
    テスト平均値
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    26 left arrow 42
    周辺 -62% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.7 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 26
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 11.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 5.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1396 left arrow 1771

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Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
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Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
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メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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メモリRAM
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GIS 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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