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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

総合得点
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB 考慮すべき理由
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    24 left arrow 42
    周辺 -75% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.6 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.1 left arrow 6.0
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 24
  • 読み出し速度、GB/s
    9.7 left arrow 15.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    6.0 left arrow 12.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
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メモリRAM
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Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
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