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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
総合得点
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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考慮すべき理由
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
29
42
周辺 -45% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
14.9
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
10.7
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
29
読み出し速度、GB/s
10.6
14.9
書き込み速度、GB/秒
7.8
10.7
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2150
2811
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
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G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
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