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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
総合得点
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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考慮すべき理由
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
35
42
周辺 -20% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
18.1
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.9
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
35
読み出し速度、GB/s
10.6
18.1
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.9
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2150
3215
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
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