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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
総合得点
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
総合得点
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
相違点
仕様
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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考慮すべき理由
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
22
42
周辺 -91% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
15.7
10.6
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.4
7.8
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
10600
周辺 2.01 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FB 4GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
42
22
読み出し速度、GB/s
10.6
15.7
書き込み速度、GB/秒
7.8
12.4
メモリ帯域幅、mbps
10600
21300
Other
商品説明
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
2150
3174
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Frequency (Mhz) *
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
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