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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    30 left arrow 42
    周辺 -40% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.5 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.9 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 30
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 17.5
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.9
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 3283

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Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
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メモリRAM
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Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
メモリRAM
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
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Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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メモリRAM
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
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