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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB 考慮すべき理由
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    20 left arrow 42
    周辺 -110% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    19.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    15.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 20
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 19.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 15.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 3473

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAMの比較

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Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
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SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
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Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
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メモリRAM
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
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Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
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メモリRAM
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
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Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
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メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
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Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
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Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
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