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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB 考慮すべき理由
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    32 left arrow 42
    周辺 -31% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.6 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 32
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 16.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 2952

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Kingston 9905678-177.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
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Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
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メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
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Kingston 9905678-121.A00G 8GB
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A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
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Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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