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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB 考慮すべき理由
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    27 left arrow 42
    周辺 -56% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    16.7 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 16.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 14.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 3342

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Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
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メモリRAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Ramaxel Technology RMUA5180MH78HBF-2666 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
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Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
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