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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Kingston XRMWRN-HYA 16GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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Kingston XRMWRN-HYA 16GB

Kingston XRMWRN-HYA 16GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Kingston XRMWRN-HYA 16GB 考慮すべき理由
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 42
    周辺 -27% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.9 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 2962

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAMの比較

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A-DATA Technology AM2P26KC8T1-BXRS 8GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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メモリRAM
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
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Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
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メモリRAM
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Kingston 9905678-012.A00G 8GB
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メモリRAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
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Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
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Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
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Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
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メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Kingston 9905744-035.A00G 16GB
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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