RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
star star star star star
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB

Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 44
    周辺 5% 低遅延
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    11.6 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    9.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    14900 left arrow 10600
    周辺 1.41 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 44
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 11.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 9.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 14900
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-10-9-28 / 1866 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 2510

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAMの比較

Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB RAMの比較

Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CMA 8GB
メモリRAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
メモリRAM
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
メモリRAM
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
メモリRAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
メモリRAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
メモリRAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
メモリRAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
メモリRAM
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
メモリRAM