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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

総合得点
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    42 left arrow 72
    周辺 42% 低遅延
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB 考慮すべき理由
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15.3 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.0 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 10600
    周辺 1.81 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 72
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 15.3
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 8.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 1817

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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Corsair CMD32GX4M4A2666C16 8GB
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メモリRAM
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
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メモリRAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
メモリRAM
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
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Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
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Kingston 9905678-102.A00G 8GB
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メモリRAM
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
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メモリRAM
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
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Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
メモリRAM
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
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メモリRAM
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