RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

総合得点
star star star star star
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
バグを報告する
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    40 left arrow 42
    周辺 -5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    15 left arrow 10.6
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    11.2 left arrow 7.8
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 10600
    周辺 2.01 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    42 left arrow 40
  • 読み出し速度、GB/s
    10.6 left arrow 15.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    7.8 left arrow 11.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 21300
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2150 left arrow 2100

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB RAMの比較

Elpida EBJ41EF8BCFA-DJ-F 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB RAMの比較

Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
メモリRAM
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
メモリRAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
メモリRAM
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
メモリRAM
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
メモリRAM
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
メモリRAM
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMSA8GX3M1A1600C11 8GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
メモリRAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
メモリRAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
メモリRAM
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
メモリRAM
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
メモリRAM